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电子元器件详细资料 » IC[25838] » NTMD2C02R2G
型号:NTMD2C02R2G类别:FET - 阵列制造商:ON Semiconductor
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET PWR N/P-CH DUAL 20V 8SOIC

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET PWR N/P-CH DUAL 20V 8SOIC
系列-
制造商ON Semiconductor
FET型N 和 P 沟道
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流_连续漏极(Id)0a025000C5.2A,3.4A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C43 毫欧 @ 4A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大2221.2V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs20nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds1100pF @ 10V
功率_最大2W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOIC N
包装带卷 (TR)

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